產(chǎn)品名稱：二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250
產(chǎn)品型號：
更新時(shí)間：2024-04-28
產(chǎn)品特點(diǎn)：二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250 FEI Quanta 系列包括六款可變壓力和環(huán)境掃描電子顯微鏡 (ESEM™)。所有這些產(chǎn)品均可滿足工業(yè)工藝控制實(shí)驗(yàn)室、材料科學(xué)實(shí)驗(yàn)室和生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)室的多種樣本和成像要求。
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250 uanta 系列掃描電子顯微鏡屬于多功能、高性能儀器，并具有高真空、低真空和 ESEM 三種模式，能夠處理的樣本類型之多堪稱 SEM 系統(tǒng)。所有 Quanta SEM 系統(tǒng)均可配備分析系統(tǒng)，比如能量色散譜儀、X 射線波長色散譜儀以及電子背散射衍射系統(tǒng)。此外，場發(fā)射電子槍 (FEG) 系統(tǒng)含有一個(gè)用于明場和暗場樣本成像的 S/TEM 檢測器。SEM 系統(tǒng)中的另一個(gè)可變配置是電動(dòng)工作臺的尺寸（分 50mm、100mm 和 150mm 三種）以及電動(dòng) Z 軸行程的大?。ǚ謩e為 25mm、60mm 和 65mm）。Quanta 250 和 250 FEG 都設(shè)計(jì)了大標(biāo)本室，能夠分析和瀏覽大型標(biāo)本。
Quanta 的材料科學(xué)應(yīng)用
隨著 Quanta 250 系列的推出，現(xiàn)在的 Quanta SEM 系列更為靈活。對于材料科學(xué)來說，這些全新儀器可滿足對眾多類型材料進(jìn)行研究以及表征結(jié)構(gòu)和成分的需求。FEI Quanta™ 系列十分靈活，功能多樣，能夠應(yīng)對當(dāng)今眾多研究領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。觀測任意樣本并獲得所有數(shù)據(jù) - 表面和成分圖像可與配件結(jié)合起來，確定材料屬性和元素成分。
Quanta 旨在增加您實(shí)驗(yàn)室的可發(fā)表成果。Quanta 標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境 SEM (ESEM) 功能可以提供額外的能力，用于處理您之前認(rèn)為電子顯微技術(shù)無法處理的樣品和應(yīng)用，同時(shí)協(xié)助預(yù)測長期的材料性能。
· 對水化物樣品成像。
· 潮濕或熱循環(huán)期間的結(jié)晶或相變。
· 懸浮或自組裝過程中的粒子。
· 金屬腐蝕。
· 拉伸試驗(yàn)（根據(jù)需要加熱或冷卻）。
二手FEI-SEM電鏡 FEI-QUANTA250 Quanta 自身的多功能性使之非常適合用于材料科學(xué)。它善于執(zhí)行傳統(tǒng)高分辨率 SEM 成像/分析，在動(dòng)態(tài)原位 實(shí)驗(yàn)方面同樣游刃有余。Quanta 可以讓您研究自然狀態(tài)下的廣泛樣品，從而獲得最準(zhǔn)確的結(jié)構(gòu)和組成信息：
· 氧化/腐蝕樣品
· 陶瓷材料、復(fù)合材料、塑料
· 薄膜和涂層
· 軟材料：聚合物、藥物、凝膠
· 顆粒物、多孔材料、纖維
典型應(yīng)用:
檢測器
• E-T二次電子探頭
納米表征
金屬及合金, 氧化/腐蝕, 斷口, 焊點(diǎn), 拋光斷面, 磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷, 復(fù)合材料, 塑料
薄膜/涂層地質(zhì)樣品斷面, 礦物
軟物質(zhì): 聚合物, 藥品, 過濾膜, 凝膠, 生物組織, 木材
顆粒, 多孔材料, 纖維
原位過程分析
增濕/去濕
浸潤行為/接觸角分析
氧化/腐蝕
拉伸 (伴隨加熱或冷卻)
結(jié)晶/相變
納米原型制備
• 電子束曝光 (EBL)
• 電子束誘導(dǎo)沉積(EBID)
主要參數(shù)
電子光學(xué)
高分辨肖特基場發(fā)射電子槍
優(yōu)化的高亮度、大束流鏡筒
45°錐度物鏡極靴，及“穿過透鏡"的壓差真空系統(tǒng)，加熱式 物鏡光闌
加速電壓: 200 V - 30 kV
束流: 最大200 nA并連續(xù)可調(diào)
放大倍數(shù): 14 x – 1,000,000 x (四幅圖像顯示)
分辨率
高真空
– 30 kV下0.8 nm (STEM)*
– 30 kV下1.0 nm (SE)
– 30 kV下2.5 nm (BSE)*
– 1 kV下3.0 nm (SE)
高真空下減速模式*
– 1 kV下3.0 nm (BSE)*
– 1 kV下2.3 nm (ICD)*
– 200 V下3.1 nm (ICD)*
低真空
– 30 kV下1.4 nm (SE)
– 30 kV下 2.5 nm (BSE)
– 3 kV下3.0 nm (SE)
環(huán)境真空 (ESEM)
– 30 kV下1.4 nm (SE)
檢測器
• E-T二次電子探頭
•大視場低真空氣體二次電子探頭 (LFD)
• 氣體二次電子探頭 (GSED)
• 樣品室紅外CCD相機(jī)
• 高靈敏度、低電壓固體背散射探頭*
• 氣體背散射探頭*
• 四分固體背散射探頭*
• 閃爍體型背散射探頭/CLD*
• vCD(低電壓、高襯度探頭)*
• 鏡筒內(nèi)探頭(ICD)，用于減速模式下二次電子檢測*
• 電子束流檢測器*
• 分析型氣體背散射探頭 (GAD)*
• STEM探頭*
• Nav-CamTM– 光學(xué)相機(jī)彩色成像，用于樣品導(dǎo)航*
• 陰極熒光探測器*
• 能譜*
• 波譜*
• EBSD*
• 極靴底部安裝四環(huán)分隔式定向型背散射電子探頭 (DBS)*
真空系統(tǒng)
• 1個(gè) 250 l/s 渦輪分子泵, 2個(gè)機(jī)械泵
• “穿過透鏡"的壓差真空系統(tǒng)
• 電子束在氣體區(qū)域的行程:10 mm或2 mm
• 可升級成無油機(jī)械泵
• 2個(gè)離子泵
• 樣品室真空度 (高真空模式) < 6e-4 Pa
• 樣品室真空度(低真空模式) < 10 to 130 Pa
• 樣品室真空度(環(huán)境真空模式) < 10 to 4000 Pa
• 典型換樣時(shí)間: 高真空模式≤ 150秒;低真空及環(huán)境真空模式 ≤ 270秒 (FEI標(biāo)準(zhǔn)測試程序)
樣品室
• 左右內(nèi)徑284 mm
• 10 mm分析工作距離
• 8個(gè)探測器 / 附件接口 • EDS采集角: 35°
樣品臺
• X/Y = 50 mm
• Z = 50 mm (其中馬達(dá)驅(qū)動(dòng)25 mm) • 手動(dòng)傾斜:- 15° to + 75°
• 連續(xù)旋轉(zhuǎn)360°
• 重復(fù)精度: 2 μm (X/Y方向)
• 全對中樣品臺
樣品座
• 多樣品座
• 單樣品座
• 通用樣品座套件*
• 適用于硅片或其它特殊要求的樣品座*
圖像處理器
最大6144 x 4096像素
圖像文件格式:TIFF(8,16 or 24 bit), BMP or JPEG
單窗口或四窗口圖像顯示
四活動(dòng)窗口
實(shí)時(shí)或靜態(tài)按彩色或按灰度等級信號混合
256 幀平均或積分
數(shù)字動(dòng)畫記錄 (.avi格式)
直方圖及圖像測量軟件
DCFI (漂移補(bǔ)償積分)
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